Hạt mang tải điện trong kim loại là
A. ion dương và ion âm. B. electron và ion dương.
C. electron.                      D. electron, ion dương và ion âm.

Khi nhiệt độ tăng thì điện trở của chất bán dẫn tinh khiết
A. tăng. B. giảm.
C. không đổi. D. có khi tăng có khi giảm.

Trong các bán dẫn loại nào mật độ electron tự do và mật độ lỗ trống bằng nhau:
A. bán dẫn tinh khiết           B. bán dẫn loại p
C. bán dẫn loại n                 D. hai loại bán dẫn loại p và bán dẫn loại n

Trong các bán dẫn loại nào mật độ electron tự do lớn hơn mật độ lỗ trống:
A. bán dẫn tinh khiết           B. bán dẫn loại p
C. bán dẫn loại n              D. hai loại bán dẫn loại p và bán dẫn loại n

Trong các bán dẫn loại nào mật độ lỗ trống lớn hơn mật độ electron tự do:
A. bán dẫn tinh khiết

B. bán dẫn loại p

C. bán dẫn loại n

D. hai loại bán dẫn loại p và bán dẫn loại n

Phát biểu nào sau đây là không đúng?
A. Điôt bán dẫn có khả năng biến đổi dòng điện xoay chiều thành dòng điện một chiều.

B. Điôt bán dẫn có khả năng biến đổi dòng điện một chiều thành dòng điện xoay chiều.

C. Điôt bán dẫn có khả năng phát quang khi có dòng điện đi qua.

D. Điôt bán dẫn có khả năng ổn định hiệu điện thế giữa hai đầu điôt khi bị phân cực ngược

Điôt bán dẫn có tác dụng:
A. chỉnh lưu.

B. khuếch đại.

C. cho dòng điện đi theo hai chiều.

D. cho dòng điện đi theo một chiều từ catôt sang anôt.

Điôt bán dẫn có cấu tạo gồm:
A. một lớp tiếp xúc p – n. B. hai lớp tiếp xúc p – n.
C. ba lớp tiếp xúc p – n. D. bốn lớp tiếp xúc p – n.

Chọn phát biểu đúng.
A. Chất bán dẫn loại n nhiễm điện âm do số hạt electron tự do nhiều hơn các lỗ trống.
B. Khi nhiệt độ càng cao thì chất bán dẫn nhiễm điện càng lớn.
C. Khi mắc phân cực ngược vào lớp tiếp xác p-n thì điện trường ngoài có tác dụng tăng cường sự khuếch tán của các hạt cơ bản.
D. Dòng điện thuận qua lớp tiếp xúc p - n là dòng khuếch tán của các hạt cơ bản.

Khi lớp tiếp xúc p-n được phân cực thuận, điện trường ngoài có tác dụng
A. tăng cường sự khuếch tán của các không hạt cơ bản.
B. tăng cường sự khuếch tán các lỗ trống từ bán dẫn n sang bán dẫn p.
C. tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn n sang bán dẫn p.
D. tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn p sang bán dẫn n.